快科技10月22日消息,SK海力士的全新DDR5內(nèi)存芯片近日在網(wǎng)絡(luò)上出現(xiàn),據(jù)稱代號為“X021”,并帶有新的零件編碼“AKBD”。
根據(jù)unikoshardware的說法,芯片上的“X021”標(biāo)記表明它是第二代3Gb A-Die芯片,將取代目前用于早期DDR5內(nèi)存模組的3Gb M-Die。
雖然SK海力士尚未正式發(fā)布這款第二代3Gb DDR5 A-Die,但根據(jù)其過往的命名慣例(如EB、GB、HB等代碼分別對應(yīng)4800、5600和6400MT/s的JEDEC標(biāo)準(zhǔn)頻率),新的“AKBD” 可能對應(yīng)著7200MT/s的原生頻率,分享者也在交流中證實了原生頻率為7200MT/s。
這款新一代內(nèi)存規(guī)格的出現(xiàn),與Intel的未來平臺路線圖高度吻合,按照規(guī)劃,Intel未來的Arrow Lake Refresh和Panther Lake處理器預(yù)期將支持原生的DDR5-7200內(nèi)存。
這比Raptor Lake的DDR5-5600和Arrow Lake的DDR5-6400又提升了一個檔次。這表明,SK海力士的A-Die “AKBD” 芯片預(yù)計專為即將到來的Intel處理器平臺量身打造。

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