元宇宙終究沒火過兩年
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近日，半導體領域的創(chuàng)新先鋒NEO Semiconductor宣布了一項可能重塑DRAM內存市場的突破性進展——兩款全新的3D X-DRAM單元設計，即1T1C和3T0C。這兩項設計不僅預示著存儲技術的重大飛躍，還預示著未來內存容量的顯著提升。
據(jù)悉，1T1C和3T0C分別采用了單晶體管單電容和三晶體管零電容的架構，這種創(chuàng)新設計預計將于2026年迎來概念驗證測試芯片的生產。與傳統(tǒng)DRAM模塊相比，這兩款新設計的內存容量將實現(xiàn)質的飛躍，提供至少10倍的容量提升。
基于NEO的3D X-DRAM技術，新設計的內存單元能夠在單一模塊上實現(xiàn)512Gb（即64GB）的驚人容量，這一數(shù)字遠超當前市場上任何一款DRAM模塊。這無疑為大數(shù)據(jù)處理、高性能計算和人工智能等領域帶來了前所未有的機遇。
在性能表現(xiàn)方面，NEO的測試模擬結果顯示，這些新設計的內存單元讀寫速度可達10納秒，數(shù)據(jù)保留時間超過9分鐘。這兩項性能指標均處于當前DRAM技術的最前沿，為用戶提供了更快、更可靠的數(shù)據(jù)存儲解決方案。
新設計還采用了基于氧化銦鎵鋅（IGZO）的材料，使得1T1C和3T0C單元能夠像3D NAND一樣進行堆疊設計。這種設計不僅提高了存儲容量和吞吐量，還保持了節(jié)能狀態(tài)，滿足了現(xiàn)代電子設備對高效能和低功耗的雙重需求。
NEO Semiconductor的首席執(zhí)行官Andy Hsu對此表示：“隨著1T1C和3T0C 3D X-DRAM的推出，我們正站在內存技術變革的前沿。這一創(chuàng)新不僅突破了當前DRAM的擴展限制，還為NEO贏得了下一代內存技術領導者的地位。”他進一步透露，NEO將在本月的IEEE國際存儲器研討會上分享更多關于這兩款新設計以及其他3D X-DRAM和3D NAND系列產品的詳細信息。
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