快科技9月25日消息,近日,臺積電公布了其下一代A14(1.4nm)工藝的新進展,稱其進展順利,良率表現優于預期。
除了良率,A14工藝在性能和能效方面相較于N2工藝有著顯著的提升,具體來說,A14性能比N2快15%,功耗降低了30%。
臺積電計劃在A14工藝中采用第二代GAAFET納米片晶體管和全新的NanoFlex Pro標準單元架構,這些技術的應用將使芯片密度比N2工藝提升高達20%。
這意味著在相同的芯片面積上,可以容納更多的晶體管,從而實現更高的計算能力和更低的功耗。
目前,臺積電預計A14工藝將在2028年進入量產階段,蘋果、英偉達和AMD等大客戶也將采用這一新工藝,A14有望在未來幾年內成為推動消費電子產品性能提升的關鍵力量。
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