6月安卓手機性能榜：vivo/iQOO霸占旗艦排行榜前三
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快科技2月19日消息，韓國首爾中央地方法院第25刑事部（主審法官池貴淵）宣布，三星電子前高管金某，向中國企業泄露韓國核心半導體技術，違反《防止信息泄漏及保護產業技術相關法律》，一審判處有期徒刑7年。
同時被起訴的原分包商員工方某、金某，分別被判處2年6個月、1年6個月有期徒刑。
金某曾任三星電子部長，被指控在2016年跳槽至中國新成立的某半導體公司時，泄露了三星電子DRAM內存芯片相關制程工藝的信息。
方某曾任三星電子旗下半導體設備供應商A公司的團隊負責人，被指控與金某等人合謀，竊取公司半導體沉積設備的技術數據，并泄露給中國公司。
韓國法院認定，檢方對被告的大多數指控成立，并認為“以金某為首的被告人竊取了受害公司的重要數據，并將其用于為一家中國公司制造產品”、“金某泄露了三星電子的技術數據并加以利用”。
法院還指出：“這是妨礙相關領域良好競爭和貿易秩序的嚴重犯罪，對韓國國家產業競爭力造成重大負面影響。考慮到中國競爭對手已經進入量產階段，三星電子的損失將是巨大的。”
隨著DeepSeek大模型的大規模部署，將刺激對于大容量DRAM芯片和AI芯片的需求，2025-2026年將是中國半導體產業的關鍵時期。
隨著技術升級與量產規模擴大，中國DRAM、NAND半導體產業的固定成本將進一步降低，在全球市場更具競爭力。
長鑫存儲、長江存儲、兆易創新等企業正積極擴產，預計未來兩年將顯著提升市占率，并減少對進口技術的依賴。
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