俄羅斯：將審查iPhone等外國公司設(shè)備 保數(shù)據(jù)安全
iPhone和特斯拉都屬于在各自領(lǐng)域領(lǐng)頭羊的品牌，推出的產(chǎn)品也也都是數(shù)一數(shù)二的，但對于一些國家而言，它們的產(chǎn)品可靠性和安全性還是在限制范圍內(nèi)。近日，俄羅斯聯(lián)邦通信、信息技術(shù)
快科技9月12日消息，半導(dǎo)體巨頭英飛凌科技近日宣布，公司已成功研發(fā)出全球首款300毫米（約12英寸）功率氮化鎵（GaN）晶圓技術(shù)。
與現(xiàn)有的200毫米晶圓相比，300毫米晶圓技術(shù)意味著在單個晶圓上可以制造更多的芯片，從而提高了生產(chǎn)效率和規(guī)模經(jīng)濟。
這一技術(shù)進步不僅能夠增加每晶圓的芯片產(chǎn)量，達到2.3倍，同時也有助于降低生產(chǎn)成本，使得氮化鎵技術(shù)更加經(jīng)濟高效。
氮化鎵功率半導(dǎo)體因其在效率、尺寸和重量方面的優(yōu)勢，在工業(yè)、汽車、消費電子、計算和通信應(yīng)用中得到快速采用。
據(jù)悉，英飛凌將在2024年11月在慕尼黑舉行的電子展上展示其300毫米GaN技術(shù)。
公司已經(jīng)在奧地利菲拉赫的功率工廠成功制造了300毫米GaN晶圓，并計劃根據(jù)市場需求進一步擴大產(chǎn)能。
英飛凌科技股份公司首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck表示：“這一顯著的成功是我們創(chuàng)新實力和全球團隊專注工作的結(jié)果，旨在展示我們作為氮化鎵和電源系統(tǒng)創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)者的地位。這項技術(shù)突破將改變行業(yè)游戲規(guī)則，使我們能夠釋放氮化鎵的全部潛力。”
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