快科技9月18日消息,三星多年來是全球大的DRAM內存供應商,也是大的NAND閃存供應商,然而這兩年來的發展并不太順利。
內存芯片方面,從DDR5時代就開始被SK海力士逆襲,HBM內存更是落后于SK海力士,以致于連續2個季度被SK海力士趕超,保持了二三十年的內存一哥讓位了。
閃存方面,其他廠商現在都開始量產300層以上的TLC、QLC了,三星則被曝出QLC掉鏈子,其第九代V9閃存做到了280層堆棧,去年4月就開始量產,首批是TLC閃存,核心容量做到了1Tb。
2024年9月開始量產V9 QLC閃存了,但是被曝出有質量缺陷,性能、延遲都有問題,全面量產V9 QLC閃存至少推遲到了2026年上半年。
三星的旗艦級QLC閃存依然停留在V7這一代,V8這一代也沒有QLC類型閃存。
QLC閃存容量更大,成本也更低一些,因此是AI時代受歡迎的閃存,需求比TLC都要高,三星關鍵時候掉鏈子,對他們的營收和份額顯然會很不利。
在QLC閃存方面,SK海力士依然是當前的記錄,8月份宣布第一個量產300+層的QLC閃存,達到了321層,并且已經開始量產,而且接口速度翻倍,寫入性能還提升了56%,讀取性能也提升了18%。
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