快科技6月29日消息,全球大半導(dǎo)體設(shè)備龍頭ASML已著手研發(fā)下一代Hyper NA EUV先進(jìn)光刻機(jī),為未來十年的芯片產(chǎn)業(yè)做準(zhǔn)備。
Jos Benschop表示,ASML及獨家光學(xué)合作伙伴蔡司(Carl Zeiss)正在研究可在單次曝光中印刷出分辨率精細(xì)到5nm的EUV光刻機(jī),可滿足2035年之后的制程需求。
據(jù)悉,ASML目前出貨的先進(jìn)光刻機(jī),可達(dá)到單次曝光8nm分辨率。 而之前老舊光刻機(jī)必須多次曝光才能達(dá)到類似分辨率,不僅效率較低,而且良率也有限。
Benschop指出,ASML正與蔡司進(jìn)行設(shè)計研究,目標(biāo)是實現(xiàn)數(shù)值孔徑(NA)0.7 或以上,目前尚未設(shè)定具體上市時間表。
數(shù)值孔徑(NA)是衡量光學(xué)系統(tǒng)收集與聚焦光線能力的關(guān)鍵指標(biāo),也是決定電路圖樣能否精細(xì)投影到晶圓上的關(guān)鍵因素。 當(dāng)NA越大、光波長越短,印刷分辨率就越高。
目前標(biāo)準(zhǔn)EUV光刻機(jī)的NA為0.33,新一代High NA EUV則提升至0.55。 當(dāng)下,ASML正朝向NA 0.7或超高NA(Hyper NA)邁進(jìn)。

本文鏈接:http://www.rrqrq.com/showinfo-24-165440-0.html史上先進(jìn)!ASML研發(fā)新一代Hyper NA EUV光刻機(jī):5nm單次曝光
聲明:本網(wǎng)頁內(nèi)容旨在傳播知識,若有侵權(quán)等問題請及時與本網(wǎng)聯(lián)系,我們將在第一時間刪除處理。郵件:[email protected]
上一篇: RTX 50 SUPER三款齊飛:顯存集體增加 只有它核心數(shù)更多
下一篇: AMD RX 9070 GRE 顯卡進(jìn)入中國香港市場,華擎官網(wǎng)已上線產(chǎn)品頁面