容量越大越不壞？24萬塊硬盤故障率報告公布 這些產品零故障
8月5日消息，云存儲服務商Backblaze發(fā)布了最新的硬盤故障率報告，年故障率有所上升。Backblaze發(fā)布的硬盤季度統(tǒng)計數(shù)據(jù)，其中包括故障率等重要方面。這些結
快科技6月17日消息，據(jù)媒體報道，英偉達已選定美光科技作為其下一代內存解決方案SOCAMM的首家供應商。
SOCAMM（小型壓縮附加內存模塊）是一種專為數(shù)據(jù)中心AI服務器設計的新型高性能、低功耗內存。該技術因在AI加速中的關鍵作用而被部分業(yè)界人士視為“第二代高帶寬存儲器（HBM）”。
英偉達此前委托三星電子、美光等內存制造商開發(fā)SOCAMM原型。憑借在低功耗DRAM性能上的優(yōu)勢，美光率先獲得英偉達的量產批準，超越了規(guī)模更大的競爭對手三星。目前，三星等韓國內存供應商雖已開發(fā)出SOCAMM芯片，但尚未獲得英偉達認證。
與垂直堆疊并與GPU緊密集成的HBM不同，SOCAMM主要支持中央處理器（CPU），在優(yōu)化AI工作負載方面扮演關鍵的支撐角色。
首批SOCAMM模塊基于堆疊式LPDDR5X芯片，由英偉達設計，將應用于其計劃于2026年發(fā)布的下一代AI加速器平臺Rubin。
SOCAMM采用引線鍵合和銅互連技術，每個模塊連接16個DRAM芯片——這與HBM使用的硅通孔技術形成鮮明對比。銅互連結構顯著增強了散熱性能，這對AI系統(tǒng)的穩(wěn)定運行和可靠性至關重要。
美光宣稱其新LPDDR5X芯片能效比競爭對手高出20%，這是其贏得英偉達訂單的關鍵因素。考慮到每臺AI服務器將搭載四個SOCAMM模塊（總計256個DRAM芯片），散熱效率的重要性尤為突出。
分析師認為，SOCAMM的可擴展性意味著它未來可能應用于更廣泛的英偉達產品線，包括其即將推出的個人超級計算機項目DIGITS。
美光在低發(fā)熱量內存技術上的突破，也有望提升其在競爭激烈的HBM領域的地位。隨著行業(yè)向需要堆疊12層甚至16層DRAM的HBM4邁進，熱管理已成為關鍵的差異化因素。
本文鏈接：http://www.rrqrq.com/showinfo-24-160498-0.html能效超三星20%！美光成為英偉達SOCAMM內存芯片首家供應商
聲明：本網(wǎng)頁內容旨在傳播知識，若有侵權等問題請及時與本網(wǎng)聯(lián)系，我們將在第一時間刪除處理。郵件：[email protected]
Copyright ? 2016-2023 天津谷騏科技有限公司 版權所有 sitemap.xml
違法及侵權請聯(lián)系：[email protected] 津ICP備18001702號
津公網(wǎng)安備 12010102000574號