快科技2月26日消息,中國(guó)廠商向三星授權(quán)存儲(chǔ)關(guān)鍵技術(shù)專利,這一幕真是讓人感嘆。
之前韓國(guó)媒體報(bào)道稱,三星電子近日與中國(guó)存儲(chǔ)芯片廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)簽署了專利許可協(xié)議,將從后者獲得3D NAND“混合鍵合”專利,該專利是一種將晶圓和晶圓直接鍵合的尖端封裝技術(shù)。
這引發(fā)了外界的熱議,而為什么在存儲(chǔ)上遙遙領(lǐng)先的三星,要獲得長(zhǎng)江的授權(quán)呢?
有行業(yè)人士表示,由于工藝流程問(wèn)題,三星難以規(guī)避中國(guó)企業(yè)的專利,獲取授權(quán)是必然,未來(lái)的競(jìng)爭(zhēng)可能會(huì)非常激烈。
三星此次獲取長(zhǎng)江存儲(chǔ)專利授權(quán),將主要用于下一代(V10)閃存芯片開(kāi)發(fā)上,這代芯片計(jì)劃于今年下半年量產(chǎn),堆疊層數(shù)將達(dá)到420層-430層。
為了讓V10芯片盡快量產(chǎn),三星引入了多項(xiàng)新技術(shù),晶圓和晶圓之間的混合鍵合“至關(guān)重要”。
三星之所以這么看重這項(xiàng)技術(shù),是因?yàn)?ldquo;混合鍵合”技術(shù)省去了傳統(tǒng)芯片連接所需的凸塊,縮短了電路,并提高了存儲(chǔ)性能和散熱特性,“特別是晶圓之間的混合鍵合,它鍵合的是整個(gè)晶圓而不是芯片,在提高生產(chǎn)效率方面也具有優(yōu)勢(shì)”。

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