快科技2月14日消息,半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)TechInsights、SemiWiki公布了臺(tái)積電N2 2nm級(jí)別、Intel 18A 1.8nm級(jí)別兩大尖端工藝的諸多細(xì)節(jié),并進(jìn)行了正面對(duì)比,發(fā)現(xiàn)各有優(yōu)勢(shì)。
但需要首先強(qiáng)調(diào),因?yàn)槟壳肮俜劫Y料還不全,而且不同廠商的工藝各有特色,很難直接對(duì)比優(yōu)劣,所以本文僅供參考,實(shí)際表現(xiàn)取決于具體產(chǎn)品。

Intel 18A官方稱進(jìn)展順利,將在今年下半年投入量產(chǎn),首款產(chǎn)品代號(hào)Panther Lake,主要面向筆記本移動(dòng)端。
臺(tái)積電N2也會(huì)在今年下半年大規(guī)模量產(chǎn),首發(fā)客戶還是蘋果,AMD Zen6預(yù)計(jì)也會(huì)使用。
根據(jù)研究,臺(tái)積電N2的高密度標(biāo)準(zhǔn)單元(HD standard-cell)晶體管密度為每平方毫米3.13億個(gè),超過Intel 18A的每平方毫米2.38億個(gè)、三星SF2(原名SF3P)的每平方毫米2.31億個(gè)。
當(dāng)然,這里說的只是按照標(biāo)準(zhǔn)單元晶體管的統(tǒng)計(jì),但在實(shí)際應(yīng)用中,不同工藝節(jié)點(diǎn)有自己的特殊設(shè)計(jì),比如臺(tái)積電的FinFlex、NanoFlex,不同產(chǎn)品更會(huì)使用不同的晶體管單元,包括高密度(HD)、高性能(HP)、低功耗(LP)。

性能方面,TechInsights相信,Intel 18A對(duì)比臺(tái)積電N2、三星SF2都有優(yōu)勢(shì),不過這個(gè)也取決于具體產(chǎn)品。
TechInsights的計(jì)算方法也存在疑問,因?yàn)樗且耘_(tái)積電N16FF 16nm、三星14nm作為基準(zhǔn),按照各自宣布的提升幅度,計(jì)算而來的,肯定存在偏差。
另外,Intel 18A工藝引入了PowerVia背部供電技術(shù),可以大大提升晶體管密度和性能,臺(tái)積電N2是沒有的。

功耗方面,TechInsights分析認(rèn)為,臺(tái)積電N2要比三星SF2更省電,而能效也是臺(tái)積電的一貫優(yōu)勢(shì)。
至于Intel方面,還需要觀察,相信不會(huì)太差。

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