7月安卓手機性價比榜：努比亞+紅魔兩款新機入榜
7月登場的新機有努比亞Z50S Pro和紅魔8S Pro，除了三星之外目前唯二的兩款搭載超頻版驍龍8Gen2處理器的產品，而且努比亞和紅魔也一貫有著不錯的性價比，所以在本次的性價比榜單
泰高技術提供了一系列高功率氮化鎵射頻開關產品，這些開關內部包含GaN芯片和CMOS控制器芯片。為了正確控制開關裝置，泰高GaN開關采用了集成控制器設計，該設計需要負電壓。為了生成負電壓，控制器內部使用電荷泵電路。
不過，電荷泵電路在切換頻率和切換頻率的諧波處會產生干擾。為了解決這個問題，圖1顯示了通過連接在IC的VCP引腳上的外部旁路電容器來降低這些切換干擾的方法。推薦的旁路電容器值為1nF，電壓等級為50V。在操作頻率低于300MHz時，典型的干擾性能為-110dBm至-130dBm，并且分辨帶寬為10kHz。圖2展示了TGSB2320AD; 30W 4T RF開關的所有四個RF端口的低頻噪聲性能，還顯示了與RF開關連接時的噪聲水平，以展示測量噪聲底線。在超過300MHz的操作頻率下，干擾水平應低于-135dBm，大多數應用情況下這已經足夠。但對于在VHF和UHF頻段操作的應用以及RF開關位于系統的接收路徑中的情況，這種干擾性能可能不足夠。在通道帶寬為10kHz的情況下，需要低于-134dBm的噪聲底線（即熱噪聲底線）。如圖2所示，采用內置電荷泵選項的泰高開關不能滿足這種噪聲要求。本應用指南提供了一個簡單的解決方案，適用于那些需要在操作頻率低于300MHz時，噪聲低于-135dBm（10kHz RBW）的應用。
圖1 : TGSB2320AD Pinout
圖2 : Noise performance for TGSB2320AD
解決方案 ：
泰高技術為需要低噪聲性能的應用提供了一系列具有外部電荷泵電壓選項的開關產品。這些開關需要外部負電壓來工作。根據圖3所示，只需使用帶有內部電荷泵的泰高技術氮化鎵射頻開關產品，就可以輕松地提供所需的負電壓。泰高技術的氮化鎵射頻開關通過設計內部電荷泵電路，使其能夠為帶有外部電荷泵選項的開關提供足夠的電流。
我們建議將每個開關靠近其相應的旁路電容器。在一些系統中，可能存在多個射頻開關。在這種情況下，可以使用VCP電壓從不需要非常低噪聲性能的開關（如位于發送路徑的開關）提供給需要低噪聲性能的開關（如位于VHF和UHF接收路徑的開關）。通過這樣的配置，具有外部電荷泵選項的開關將能夠實現超低噪聲性能（<-134dBm），滿足接收機靈敏度的要求。
圖3 : Low noise solution (Allowed)
重要說明：請注意，泰高技術的高功率氮化鎵射頻對稱開關對稱帶有內置電荷泵，因此在連接時只能與一個具有外部電荷泵的開關相連。如果系統中存在多個帶有外部電荷泵的開關，則應確保第二個開關連接到具有內置電荷泵選項的不同泰高技術氮化鎵RF開關，如圖3所示的解決方案所示。但是，請注意，圖4所示的解決方案則是不被允許的。另外，請務必確保兩個開關（即內置電荷泵選項和外部電荷泵選項）都由同一穩壓器供電。此外，為了保證性能穩定，建議兩個開關都配備1nF或更高的旁路電容，并且這些旁路電容應盡可能靠近各自的開關位置。
圖4 : Low noise solution (Not allowed)
在圖5中，展示了一種通過將VCP電壓從TGSP2520DE（內部VCP選項）傳送到TGSB2320AD（外部VCP選項）來測量噪聲性能的方法。這兩個開關都附帶了1nf的旁路電容。與此同時，圖6展示了TGSB2320AD的噪聲性能。從圖表可以看出，所有雜散頻率都低于測量系統的噪聲底線。
Figure 5: TGSB2320AD 評估板
Figure 6: Noise performance of TGSB2320AD(Ext CP option)
而在圖7中，則展示了在改進的測量動態范圍下的近端譜圖。通過該圖表可以看出，在內部電荷泵選項開關（圖2）的噪音性能最差情況下的頻率處，所有三種最差情況的雜散頻率都低于熱噪聲底線。這一結果印證了改進后的測量系統的優越性。
Figure 7: Noise performance of TGSB2320AD(Ext CP option) at WC spur frequencies
以下是泰高技術提供的開關組合表，其中包含具有外部電荷泵選項的開關和具有內部電荷泵選項的開關。通過同時使用這兩種開關，可以實現低熱噪聲的噪聲性能。這樣的解決方案消除了生成外部電荷泵選項所需的負電壓的負擔。在系統中已經使用多個泰高技術開關的情況下，這一解決方案不會增加任何額外的硬件或成本負擔。
深圳市泰高技術有限公司是一家專注于氮化鎵射頻前端芯片的領先半導體公司。我們憑借在氮化鎵射頻技術領域的發明專利，成功研發了一系列創新的大功率氮化鎵射頻前端芯片。
這些獨特的芯片不僅能夠顯著延長無線通信距離，還能提升圖像傳輸的質量。通過應用泰高技術的氮化鎵設計，這些芯片具備更高的功率密度和更低的能耗。這項創新技術不僅能夠提升產品整體性能，還為無線通信領域帶來了革命性突破。
利用泰高技術的大功率氮化鎵射頻前端芯片，用戶可以享受更遠距離的無線連接和更高質量的圖像傳輸，無論是在通信設備、無人機或其他需要遠程通信的場景中。此外，這些芯片還表現出色的能效，能夠在保持高性能的同時降低能耗。這意味著設備即使經過長時間的使用，仍能夠穩定工作，并為環保事業做出貢獻。
作為泰高技術的座右銘：“顛覆性創新，實現高效節能—泰高技術氮化鎵射頻芯片”，準確地概括了我們公司的核心價值觀和理念。我們始終致力于顛覆傳統，推動創新，在氮化鎵射頻技術領域進行前沿研究，為客戶提供更先進、更可靠的解決方案，并積極追求高效節能的目標。我們承諾持續不斷地努力，為行業帶來更多突破和進步。
相關閱讀：
1、泰高技術的氮化鎵射頻開關：強勁應對高功率射頻設計的王牌
2、滿足廣泛應用，覆蓋10-100W設計需求，泰高技術引領氮化鎵射頻開關芯片
3、提供無與倫比的100W應用設計，泰高技術大功率氮化鎵射頻前端芯片解析
4、領先的氮化鎵射頻前端芯片專家，突破技術邊界—深圳市泰高技術有限公司
5、泰高技術半橋GaN器件賦能LLC架構諧振電路，實現高功率、高密度的電源設計
本文鏈接：http://www.rrqrq.com/showinfo-20-5228-0.html泰高技術-讓您實現超低噪聲性能（低于-134dBm）的高功率氮化鎵射頻開關
聲明：本網頁內容旨在傳播知識，若有侵權等問題請及時與本網聯系，我們將在第一時間刪除處理。郵件：2376512515@qq.com
Copyright ? 2016-2023 天津谷騏科技有限公司 版權所有 sitemap.xml
違法及侵權請聯系：2376512515@qq.com 津ICP備18001702號
津公網安備 12010102000574號