快科技9月8日消息,EUV光刻機(jī)是制造5nm以下工藝的關(guān)鍵設(shè)備,同樣重要的還有EUV光刻膠,現(xiàn)在無(wú)錫宣布國(guó)內(nèi)首個(gè)掌握EUV光刻膠核心技術(shù)的平臺(tái)啟動(dòng)了。
來(lái)自無(wú)錫政府網(wǎng)站的消息,9月4日2025集成電路(無(wú)錫)創(chuàng)新發(fā)展大會(huì)開幕。
本次大會(huì)上宣布了多個(gè)重磅項(xiàng)目,除了算力平臺(tái)外,還有2個(gè)值得關(guān)注的——無(wú)錫先進(jìn)制程半導(dǎo)體納米級(jí)光刻膠中試線作為全國(guó)首個(gè)掌握MOR型光刻膠核心原材料、配方及應(yīng)用技術(shù)的創(chuàng)新平臺(tái),其研發(fā)生產(chǎn)的光刻膠將對(duì)標(biāo)世界一流水準(zhǔn)。
另一個(gè)則是江蘇(集萃)光刻膠樹脂合成中試線是全國(guó)唯一采用連續(xù)流技術(shù)制備光刻膠樹脂的研發(fā)平臺(tái),首創(chuàng)高分子穩(wěn)定合成的聚合裝備與工藝。
其中MOR型光刻膠就是針對(duì)EUV時(shí)代光刻膠的新技術(shù),它指的是金屬氧化物光阻劑,取代了目前DUV光刻膠所用的CAR化學(xué)增幅型光阻劑,是提高光刻分辨率、縮小柵極距、降低缺陷率的關(guān)鍵材料之一。
不僅5nm以下的工藝需要先進(jìn)EUV光刻膠,DRAM內(nèi)存工藝也會(huì)逐漸導(dǎo)入到EUV時(shí)代,同樣需要EUV光刻膠,NAND閃存暫時(shí)還沒有需要EUV工藝,但未來(lái)一樣需要EUV工藝才能進(jìn)一步提升密度。

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