線程通訊的三種方法！通俗易懂
線程通信是指多個線程之間通過某種機制進行協調和交互，例如，線程等待和通知機制就是線程通訊的主要手段之一。 在 Java 中，線程等待和通知的實現手段有以下幾種方式：Object 類下
說起PCIe5.0固態硬盤，相信大家都會想到那些讀寫破萬兆、佩戴夸張散熱片的高性能產品。
但實際上，這些產品僅僅是廠家在“秀肌肉”而已，而且消費群體也不是普通用戶，因此PCIe4.0仍是市場的絕對主力。
今年1月三星推出“雙模”產品990 EVO，為PCIe5.0應用提供了全新的思路，而9月份推出煥新升級版990 EVO Plus，性能得到大幅提升，為提升生產力的帶來全新選擇。
熟悉三星存儲產品的同學都知道，Plus的定位是升級款產品，并沒有超越系列的范疇。但這次的升級間隔僅有8個月，可見三星顯然已經不滿足小幅度的性能提升，而是通過半導體技術的革新，來尋求同系列的突破。
實際上這次的“Plus”帶來的驚喜也確實有點猛，當然PCIe5.0和PCIe4.0雙平臺兼容也被繼承了下來。
我們先看一下這款產品的亮點（以2TB為例）
1、支持PCIe4.0x4和PCIe5.0x2雙模式；
2、配備三星第八代V-NAND TLC原廠閃存顆粒；
3、配備三星5nm工藝制程自研主控芯片，采用鍍鎳涂層；
4、高順序讀寫速度高達7250MB/s和6300MB/s；
5、高隨機讀寫性能達到1050K IOPS和1400K IOPS；
6、Intelligent TurboWrite2.0技術，大幅提升了SLC緩存空間，2TB高可達226GB；
7、電源效率比三星990 EVO固態硬盤提升73%。
外觀一覽
三星990 EVO Plus采用和990 EVO完全相同的外包裝設計，依然是清爽的藍色主視覺，搭配產品圖片和大字體的型號標識，只是產品型號從EVO變成了EVO Plus，可見本次升級還是比較低調的。右下方的標簽標識了產品的讀取速度和容量。
三星990 EVO Plus采用黑色的PCB，但正面的散熱標簽比990 EVO稍小一些，這是為了照顧到單顆NAND芯片版本的美觀，設計風格也稍有變化，左側是產品的型號，中間部分是S/N編碼等信息，右側是產品的容量和三個二維碼。標簽還注明了工作的電壓電流，高理論功耗僅為6.27W，對于筆記本的電池續航非常友好。
三星990 EVO Plus采用單面元器件方案，降低發熱的同時也提升了對于筆記本等緊湊型產品的兼容性，背面大面積的敷銅線路不僅有效提升了抗干擾性能，而且提升了傳熱效果，NAND FLASH芯片的位置同樣貼有銅箔散熱片，進一步提升散熱效率。
揭開正面的標簽，可見元器件布局也與990 EVO基本相同，依然是DRAMLess無外置緩存設計，主要部件為主控芯片和一顆NAND FLASH存儲芯片，主控旁邊的黑色小芯片是電源管理芯片，旁邊圍繞著大量的貼片電容電阻元器件。
5nm制造工藝的主控芯片型號與990 EVO相同，但表面采用創新的鍍鎳設計，進一步提升了散熱效率，加上內置的三星動態散熱保護機制（DTG），大限度減少過熱的情況。
同時，這顆主控依然支持PCIe4.0x4和PCIe5.0x2兩種傳輸模式，可根據M.2插槽支持的PCIe版本自動切換，尤其是運行在PCIe5.0x2模式，關閉兩條PCIe通道會降低功耗，更省電、發熱量更低。
核心元件升級到了三星新的第八代V-NAND TLC原廠閃存芯片，236層堆疊大幅提升了存儲密度，例如我們測試的這款使用了單顆就可達到2TB，旁邊的焊盤再加焊一顆就可達到4TB容量。
除此之外，閃存的I/O接口帶寬也提升至2400MT/s，這也是990 EVO Plus高讀寫速率達到7250MB/s和6300MB/s，以及隨機性能高達1050K IOPS和1400K IOPS的關鍵，同時功耗也降低16%。
基準性能測試
作為三星990 EVO的升級版，990 EVO Plus不僅在讀寫性能方面進行大提速，還延續了PCIe4.0x4+PCIe5.0x2“雙模”設計，因此同樣具備低功耗優勢。
基準測試，我們從順序讀寫性能、隨機性能和SLC Cache三個維度展開。下面是我們本次的測試平臺。
由于AMD X670E主板的M.2插槽支持PCIe版本切換，所以在BIOS中就能限定運行在5.0或4.0模式。Crystal Disk info顯示990 EVO Plus支持PCIe4.0x4和PCIe5.0x2，在24℃室溫下通電15分鐘，閑時溫度分別為50℃和48℃，可見在PCIe5.0x2模式會有更低的發熱量。
由于PCIe4.0x4帶寬與PCIe5.0x2一致，因此三星990 EVO Plus在這兩種模式下順序讀寫性能也是基本相同的。經CrystalDiskMark實測，2TB容量在PCIe5.0x2模式高順序讀寫速度為7216.91MB/s和6105.87MB/s，在PCIe4.0x4模式為7208.85MB/s和6055.98MB/s。
用于對比的TxBench測試結果顯示，三星990EVOPlus在PCIe5.0x2模式高順序讀寫速度為7212.982MB/s和6209.903MB/s，PCIe4.0x4模式則為7185.815MB/s和6198.875MB/s，與Crystal Disk Mark接近。隨機性能采用Crystal Disk Mark的成績，讀寫分別達到了1052K IOPS和1368K IOPS，大幅超越990 EVO，幾乎可與配備DRAM的固態硬盤產品相媲美，在進行大型游戲、專業剪輯等重度任務時，可進一步提升大量細碎文件的加載效率。
進階性能測試
為了進一步探索三星990 EVO Plus的SLC緩存機制和隨機性能，接下使用專業的存儲測試軟件IOmeter展開進一步測試，并記錄每秒的速度變化生成圖表，每輪測試時間為40分鐘。
先執行128KB順序寫入測試，通過測試曲線可知，三星990 EVO Plus 2TB一開始連續寫入速度在5600--5700MBps，40秒后SLC緩存用盡，因此空盤時Turbo Cache實為226GB左右。
緩存用盡后TLC穩態直寫速度在1200--1400MBps。24分鐘后主控完成GC回收寫入速度開始提升，從曲線看像麻花一樣在1900--2200MBps之間波動。但日常使用中很少有單次寫入200GB以上數據的情況，因此實際使用中都是全速運行的，體驗非常流暢。
發熱量測試，我們使用IOmeter測試128KB順序寫入，讓三星990 EVO Plus滿載運行，測試時間時間20分鐘，并記錄每分鐘的溫度變化。
從溫度圖表可知其高溫度僅有76℃，不僅比990 EVO要低，通過IOmeter的測試圖形還可以看到動態散熱保護機制（DTG）并沒有介入，可見990EVO Plus的溫度控制十分優秀，應用于筆記本的升級擴容也不用擔心會出現過熱的情況。
應用模擬測試
應用模擬，是通過專用的測試軟件模擬出不同的應用場景，來表征固態硬盤的綜合性能。需要注意的是，測試項目中的PCMARK10和3DMARK在不同的硬件平臺（尤其是CPU）跑分存在很大差異，故成績僅供參考。
首先是PCMARK10的完整系統盤測試，該項目將三星990 EVO Plus模擬成系統盤來測試真實環境下的表現。經實測三星990 EVO Plus 2TB的得分4267分，帶寬為677.32MB/s，平均存取時間為39μs。
接下來是3DMARK存儲DLC測試，該項目通過對三款游戲的載入、保存、安裝與錄制來評估固態硬盤的游戲性能。終三星990 EVO Plus 2TB的存儲基準測試得分為4284分，平均帶寬為735.29MB/s，平均存取時間為42μs。
后是FF XIV EndWalker Benchmark游戲加載模擬測試，這款DEMO能記錄所有測試場景的載入時間，經測試三星990 EVO Plus 2TB全部的轉場載入時間僅為7.236秒，和配備獨立DRAM緩存的產品基本相近，游戲性能表現也是不錯的。
專屬軟件上手簡單
為了三星品牌所有存儲產品的集中監控和管理，三星存儲推出了專用管理軟件SAMSUNG Magician（三星魔術師），支持固態硬盤、移動固態硬盤、U盤和存儲卡等全線存儲產品。
在Driver Dashboard中的“狀態”選項卡，可顯示三星990 EVO Plus的已寫入的總容量、當前磁盤的剩余空間、工作溫度的變化和測速結果等。
為了讓用戶輕松了解存儲產品的性能，三星魔術師內建了測速功能，在Performance Benchmark即可測試，普通用戶無需專業軟件也可自行測試三星990 EVO Plus的性能。
三星魔術師還為三星990 EVO Plus設置了四檔位性能模式，在Performance Optimization可看到Full Performance mode（全性能模式）、StandardMode（標準模式）、Power Saving Mode（節能模式）和Custom Mode（自定義模式），用戶可根據使用的設備和應用場景自由設定。
開啟Full PowerMode可關閉固態硬盤的睡眠和空閑狀態，時刻保持性能巔峰，開啟TRIM則可以刪除數據塊中不再使用的數據，讓固態硬盤運行更加高效。
寫在后
現在的NVMe固態硬盤正處于從PCIe4.0向PCIe5.0過渡的時期，三星990 EVO Plus不僅支持滿血PCIe4.0，還兼容PCIe5.0。
令人驚喜的是，它不僅在性能上能與配備獨立緩存的產品相媲美，還實現了更低功耗和發熱量，進一步提升整體效能，可謂物超所值，成為高性能游戲和AI任務的優質解決方案。
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