快科技7月24日消息,據(jù)媒體報(bào)道,作為國(guó)內(nèi)大的DRAM芯片制造商,也是唯一能生產(chǎn)DDR4/LPDDR4內(nèi)存芯片的廠商,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)(CXMT)在今年初完成了向DDR5/LPDDR5芯片的技術(shù)切換。
近期,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正逐步減少DDR4出貨量,將重心轉(zhuǎn)向DDR5,并計(jì)劃升級(jí)工藝以提高產(chǎn)量。然而,其DDR5量產(chǎn)計(jì)劃似乎遇到了阻礙。
主要問(wèn)題在于其生產(chǎn)DDR5所使用的制程工藝相對(duì)落后。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)采用了其第四代DRAM節(jié)點(diǎn)技術(shù)來(lái)制造DDR5,導(dǎo)致芯片面積比三星同類產(chǎn)品大出約40%,成本顯著提高,不利于大規(guī)模量產(chǎn)。更關(guān)鍵的是,該工藝下的芯片品質(zhì)和良品率仍未達(dá)到理想水平。
成本之外,可靠性也是挑戰(zhàn)。早期測(cè)試發(fā)現(xiàn),其DDR5內(nèi)存模塊在高溫或低溫環(huán)境下存在穩(wěn)定性問(wèn)題。為此,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)不得不重新修改芯片設(shè)計(jì)以提升可靠性。
此前業(yè)內(nèi)普遍預(yù)期長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)將在2025年5月或6月開(kāi)始DDR5的大規(guī)模量產(chǎn),但截至7月,大規(guī)模出貨尚未實(shí)現(xiàn)。盡管部分技術(shù)問(wèn)題已得到解決,但良品率仍徘徊在50%左右,遠(yuǎn)未達(dá)到大規(guī)模生產(chǎn)的理想要求。
盡管如此,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的DDR5技術(shù)已追平南亞科技的水平,正在縮小與領(lǐng)先DRAM廠商的差距。綜合當(dāng)前進(jìn)展,預(yù)計(jì)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的DDR5芯片要到2025年末才能進(jìn)入穩(wěn)定的大規(guī)模生產(chǎn)階段。

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