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據(jù)韓國媒體ZDNet Korea 2月24日報(bào)道稱，三星電子近期已與中國存儲(chǔ)芯片廠商長江存儲(chǔ)簽署了開發(fā)堆疊400多層NAND Flash所需的“混合鍵合”（Hybrid Bonding）技術(shù)的專利許可協(xié)議，以便從其第10代（V10）NAND Flash產(chǎn)品（430層）開始使用該專利技術(shù)來進(jìn)行制造。
報(bào)道稱，三星之所以選擇向長江存儲(chǔ)獲取“混合鍵合”專利授權(quán)，主要由于目前長江存儲(chǔ)在“混合鍵合”技術(shù)方面處于全球領(lǐng)先地位。并且三星經(jīng)過評估認(rèn)為，從下一代V10 NAND開始，其已經(jīng)無法再避免長江存儲(chǔ)專利的影響。
3D NAND為何需要“混合鍵合”技術(shù)？
過去傳統(tǒng)的NAND Flash制造是只使用一塊晶圓，NAND 陣列和CMOS電路的集成要么是將CMOS電路放置在單元陣列旁邊（CMOS Next Array 或 CAN），要么將CMOS電路放置在 NAND 陣列 (CUA) 下方。
大多數(shù) NAND Flash供應(yīng)商在其初的 3D NAND 工藝中實(shí)施 CAN 方法，然后在后續(xù)工藝中遷移到 CUA架構(gòu)。僅美光和Solidigm 在 32 層 3D NAND 路線圖之初就實(shí)施了 CUA架構(gòu)。隨后三星、SK海力士也轉(zhuǎn)向了CUA架構(gòu)，三星稱之為COP（Cell-on-Perry），SK海力士稱之為PUC（Cell-Under-Cell）。
在傳統(tǒng)3D NAND架構(gòu)中，外圍電路約占芯片面積的20~30%。而隨著3D NAND技術(shù)堆疊到128層甚至更高，外圍電路所占據(jù)的芯片面積或?qū)⑦_(dá)到50%以上，這也造成了存儲(chǔ)密度的降低。同時(shí)，這種方法多可容納300多層的NAND，否則施加于底部電路上的壓力可能會(huì)對電路造成損壞。
為了解決這一問題，長江存儲(chǔ)早在2018年推出了全新的Xtacking技術(shù)，推動(dòng)了高堆疊層數(shù)的3D NAND制造開始轉(zhuǎn)向了CBA（CMOS 鍵合陣列）架構(gòu)。
△圖片來源：YMTC
CBA 架構(gòu)則是通過將兩塊獨(dú)立的晶圓分別制造NAND陣列和外圍CMOS邏輯電路，然后將CMOS邏輯電路堆疊在NAND陣列之上。
由于NAND晶圓和CMOS電路晶圓可以在不同的生產(chǎn)線上制造，因此可以使用各自優(yōu)化的工藝節(jié)點(diǎn)分別生產(chǎn)，不僅可以縮短生產(chǎn)周期，還可以降低制造復(fù)雜度和成本。同時(shí)，CBA 架構(gòu)也可以使得NAND芯片的每平方毫米的存儲(chǔ)密度、性能和可擴(kuò)展性可以進(jìn)一步提高。
而對于采用CBA架構(gòu)的NAND廠商來說，要想將分別用于制造NAND陣列和外圍CMOS邏輯電路的兩片晶圓進(jìn)行完美的垂直互連，就必須要用到混合鍵合技術(shù)。
目前混合鍵合技術(shù)主要有兩類，晶圓到晶圓（Wafer-to-Wafer, W2W）和裸片到晶圓（Die-to-Wafer, D2W）。
CBA架構(gòu)的NAND正是基于W2W的混合鍵合技術(shù)，省去了傳統(tǒng)芯片連接中所需的“凸點(diǎn)”（Bump），形成間距為10μm 及以下的互連，使得電路路徑變得更短、I/O密度大幅提升，從而顯著提高了傳輸速率，并降低了功耗，同時(shí)還減少芯片內(nèi)部的機(jī)械應(yīng)力，提高產(chǎn)品的整體可靠性。
同時(shí)，由于堆疊層數(shù)越來越高，未來NAND Flash前端的集成也由原來的NAND陣列（Array）+CMOS電路層堆疊，轉(zhuǎn)向NAND陣列+NAND陣列+CMOS電路層堆疊，因此也帶來更多的“混合鍵合”需求。
可以說，對于3D NAND廠商來說，要想發(fā)展400層以上的NAND堆疊，混合鍵合技術(shù)已經(jīng)成為了一項(xiàng)核心技術(shù)。
長江存儲(chǔ)已建立技術(shù)優(yōu)勢
作為率先轉(zhuǎn)向CBA架構(gòu)的3D NAND廠商，長江存儲(chǔ)在2018年推出自研的Xtacking技術(shù)之后，在CBA架構(gòu)方向上已經(jīng)進(jìn)行了大量的投資。2021年，長江存儲(chǔ)還與Xperi達(dá)成DBI混合鍵合技術(shù)等相關(guān)專利組合許可。這些方面的積極投入都成為了長江存儲(chǔ)能夠快速在數(shù)年時(shí)間內(nèi)在NAND Flash技術(shù)上追平國際一線廠商的關(guān)鍵。
目前，長江存儲(chǔ)自研的Xtacking技術(shù)已經(jīng)進(jìn)展到了4.x版本，并且成功量產(chǎn)了160層、192層、232層產(chǎn)品。新研究報(bào)告顯示，長江存儲(chǔ)今年早些時(shí)候還成功實(shí)現(xiàn)了2yy（預(yù)估270層）3D TLC（三級單元）NAND 商業(yè)化。
雖然目前頭部的3D NAND大廠都已經(jīng)量產(chǎn)了200層以上的3D NAND，并積極量產(chǎn)300層3D NAND，甚至開始向400層以上邁進(jìn)。
比如，2024年11月，SK海力士宣布即將開始量產(chǎn)全球高的321層3D NAND。三星隨后也宣布將在國際固態(tài)電路會(huì)議（ISSCC）上展示了新的超過400層3D NAND，接口速度為5.6 GT/s。但是，長江存儲(chǔ)2yy 3D NAND 依然是目前已經(jīng)商用的3D NAND產(chǎn)品當(dāng)中堆疊層數(shù)高、存儲(chǔ)密度高的。
TechInsights表示：“長江存儲(chǔ)的2yy 3D NAND是我們在市場上發(fā)現(xiàn)的密度高的NAND”，“重要的是，它是業(yè)內(nèi)第一個(gè)實(shí)現(xiàn)超過20Gb/mm?位密度的3D NAND”。
顯然，雖然長江存儲(chǔ)近年來發(fā)展受到了外部的各種限制，其依然憑借自研的Xtacking技術(shù)居于行業(yè)領(lǐng)先地位。這其中的關(guān)鍵在于，長江存儲(chǔ)率先轉(zhuǎn)向CBA架構(gòu)，并實(shí)現(xiàn)了混合鍵合的技術(shù)良率穩(wěn)定。在這過程當(dāng)中，長江存儲(chǔ)在Xperi混合鍵合技術(shù)基礎(chǔ)上，也已經(jīng)積累了非常多自研的混合鍵合技術(shù)和其他3D NAND制造技術(shù)專利。
值得一提的是，在2023年11月，長江存儲(chǔ)在美國起訴3D NAND芯片大廠美國侵犯其8項(xiàng)3D NAND專利。
隨后在2024年7月，長江存儲(chǔ)又在美國起訴美光侵犯其11項(xiàng)專利。這也從側(cè)面凸顯了長江存儲(chǔ)近年來在3D NAND領(lǐng)域豐富的技術(shù)專利積累。
大廠轉(zhuǎn)向CBA架構(gòu)遲緩
對于三星、SK海力士等傳統(tǒng)3D NAND大廠來說，其在傳統(tǒng)的單片晶圓生產(chǎn)方面具有很大的技術(shù)優(yōu)勢和產(chǎn)能優(yōu)勢。但是如果從傳統(tǒng)的單片晶圓生產(chǎn)，轉(zhuǎn)換到CBA 架構(gòu)兩片晶圓生產(chǎn)，無疑需要增加對新的潔凈室空間和設(shè)備的額外投資，同時(shí)還將面臨混合鍵合技術(shù)所帶來的良率挑戰(zhàn)，這也使得他們轉(zhuǎn)向CBA架構(gòu)的意愿并不積極。
作為從東芝半導(dǎo)體獨(dú)立出來的鎧俠，其是繼長江存儲(chǔ)之后首批采用CBA 架構(gòu)技術(shù)大規(guī)模生產(chǎn)3D NAND產(chǎn)品的主要制造商，但是他們的基于CBA架構(gòu)的第八代技術(shù)（BiCS8）的218層3D NAND直到2024年下半年才量產(chǎn)。
SK海力士和美光雖然分別在2020年和2022年向Xperi（子公司Adeia）拿到了混合鍵合技術(shù)的授權(quán)。但是，SK海力士、美光都計(jì)劃2025年才量產(chǎn)基于CBA 架構(gòu)的300層以上的3D NAND。三星則計(jì)劃于2026年（快2025年底）才量產(chǎn)基于CBA架構(gòu)的第10代堆疊層數(shù)超過400層的V-NAND。
TechInsights 的 Jeongdong Choi 博士在近接受記者采訪時(shí)表示，“長江存儲(chǔ)在如此短的時(shí)間內(nèi)實(shí)施了超過 16 層和 232 層的層數(shù)，這令人驚訝。盡管面臨設(shè)備采購上的限制，但似乎蝕刻、ALD（原子層沉積）工藝和翹曲預(yù)防工藝都得到了很好的優(yōu)化。”
相比之下，“三星從V10開始，采用三重堆棧，總共使用兩個(gè)晶圓的混合鍵合。由于工藝轉(zhuǎn)換和新設(shè)施投資等許多變化，制造成本必然比長期使用混合鍵合的長江存儲(chǔ)高得多。”Jeongdong Choi解釋道。
難以規(guī)避的專利壁壘
正因?yàn)槿恰K海力士等大廠轉(zhuǎn)向CBA架構(gòu)的遲緩，使得它們在面對已經(jīng)在CBA架構(gòu)3D NAND和配套的混合鍵合技術(shù)上已持續(xù)投入多年的長江存儲(chǔ)時(shí)，將會(huì)不可不避免的面臨專利方面的障礙。
資料顯示，目前混合鍵合技術(shù)專利主要被Xperi、長江存儲(chǔ)和臺(tái)積電所掌控。但是，Xperi這家公司主要是做技術(shù)許可，而臺(tái)積電也主要是做邏輯芯片制造，顯然長江存儲(chǔ)在3D NAND研發(fā)制造過程當(dāng)中所積累的混合鍵合技術(shù)專利對于其他3D NAND制造商來說，想要規(guī)避可能將面臨更大的挑戰(zhàn)。
ZDNet Korea報(bào)道稱，多位知情人士表示，三星與長江存儲(chǔ)簽署“混合鍵合”技術(shù)專利許可協(xié)議，是因?yàn)槿堑呐袛嗍?ldquo;開發(fā) V10、V11 和 V12 等下一代 NAND Flash，幾乎不可能規(guī)避長江存儲(chǔ)的專利”。
根據(jù)三星的計(jì)劃，其目標(biāo)是快在今年年底開始量產(chǎn)V10，因此需要在此之前盡快解決相關(guān)專利問題。
所以，三星與長江存儲(chǔ)簽署了與混合鍵合專利相關(guān)許可協(xié)議的舉動(dòng)，被認(rèn)為是一種通過友好合作，來加速技術(shù)開發(fā)的策略。不過，目前尚不清楚三星是否也獲得了Xperi 等其他公司的專利許可。
對于長江存儲(chǔ)來說，此次向三星這樣的頭部存儲(chǔ)技術(shù)大廠提供專利許可，屬于是中國存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)歷史上的首次，充分凸顯了長江存儲(chǔ)在3D NAND領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新實(shí)力。
值得一提的是，在得到了三星的認(rèn)可之后，SK海力士等尚未量產(chǎn)CBA架構(gòu)產(chǎn)品的3D NAND廠商后續(xù)可能也將會(huì)尋求向長江存儲(chǔ)獲取“混合鍵合”專利許可授權(quán)。
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