石頭自清潔掃拖機器人G10S評測：多年黑科技集大成之作 懶人終極福音
科技圈經(jīng)常能看到一個詞叫“縫合怪”，用來形容那些把好多功能或者外觀結(jié)合在一起的產(chǎn)品，通常這樣的詞是貶義詞，但如果真的是產(chǎn)品縫合的好、縫合的實用的話，那它就成了中性詞，今
快科技8月27日消息，華為服務(wù)器處理器鯤鵬系列要更新了，畢竟鯤鵬920是2019年發(fā)布的。
現(xiàn)在，有媒體曝光了華為鯤鵬930的信息，看起來升級幅度相當(dāng)?shù)拇螅锌赡芤灿蒙狭?nm工藝。
報道中提到，鯤鵬930的封裝尺寸約為77.5mm x 58.0mm（畢竟是120核心），這是一個很大的尺寸，這主要是由于鯤鵬930采用Chiplet（小芯片）配置，由四個不同的芯片組成。
因此，整個芯片封裝由四個不同的計算小芯片組成，面積約為252.3 mm?，以及一個大型 I/O die，面積約為312.3 mm。與鯤鵬920相比，后繼產(chǎn)品的 I/O die 面積大約大了81.26%，主要是因為它提供了更高的96通道內(nèi)存連接。
具體到CPU die的尺寸為 23.47mm x 10.75mm，包含十個CPU集群，每個集群由四個CPU內(nèi)核，這意味著單個CPU die 有 40 個CPU內(nèi)核。因此，鯤鵬930 的CPU內(nèi)核總數(shù)為120個。
每個CPU die都擁有2MB 的二級緩存并共享 91MB 的三級緩存。仔細(xì)檢查 CPU 芯片可以得出結(jié)論，它基于華為自研的基于Arm指令集的“泰山”核心。
如果簡單來說，那就是鯤鵬930的CPU內(nèi)核數(shù)量是前代鯤鵬920的2倍左右，以此來推算的話，可能是5nm工藝驅(qū)動的更高SRAM密度。
如果真是這樣的話，那么5nm工藝必然也會用到麒麟9300上。
要知道，之前就有博主爆料稱，外界盛傳的國產(chǎn)N+3（外界盛傳達(dá)到125mtr）工藝消息大概率是靠譜的，因為專利顯示的H210G56指標(biāo)，計算下來就是125mtr的布線密度。
博主表示，如果真成了，那也意味著國產(chǎn)5nm工藝就達(dá)成穩(wěn)了。
據(jù)悉，中芯國際的N+3工藝具有顯著的晶體管密度，達(dá)到了125MTr/mm（即每平方毫米125億個晶體管）。這一密度介于臺積電的N6（113MTr/mm）與三星早期的5nm（127MTr/mm）工藝之間，相當(dāng)于臺積電的5.5nm工藝水平。
若以14nm工藝為基點（密度約35MTr/mm），N+3的密度提升幅度超過了250%，這標(biāo)志著中芯國際在FinFET架構(gòu)上的持續(xù)優(yōu)化能力。
盡管N+3的命名容易讓人聯(lián)想到“等效5nm”，但其實際性能功耗表現(xiàn)對標(biāo)的是臺積電的N7P（7nm增強版）和N6工藝。這意味著在相同晶體管數(shù)量下，中芯國際N+3的能效可能比臺積電的N5/N4工藝落后約15%~20%，這主要受限于EUV光刻機的短缺導(dǎo)致的工藝復(fù)雜度不足。然而，對于長期依賴成熟制程的國產(chǎn)芯片而言，這一進(jìn)步已經(jīng)足夠打破多項技術(shù)瓶頸。
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